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MUBW 35-12 A8
Output Inverter T1 - T6 / D1 - D6
9
180
6
1200
E on
mJ
6
ns
150
120 t
E off
mJ
4
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
R G = 39 Ω
T VJ = 125°C
E off
ns
1000
800 t
td(on)
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
90
t d(off)
600
3
Eon
R G = 39 Ω
T VJ = 125°C
60
2
400
0
tr
30
0
0
t f
200
0
0
20
40
60
A
80
0
20
40
60
A
80
I C
Fig. 13 Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
I C
Fig. 14 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
I C
E on
6
mJ
4
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
= 35 A
T VJ = 125°C
160
tr ns
Eon 120 t
td(on)
80
E off
8
mJ
6
4
E off
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
I C = 35 A
t d(off)
800
ns
600
400
t
2
T VJ = 125°C
40
2
200
0
0
20
40
60
80
0
Ω 100
0
87
88
89
90 Ω
t f
0
60
R G
Fig. 15 Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
10
R G
Fig.16 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
I CM
A
40
K/W
1
Z thJC
diode
IGBT
0.1
0.01
20
single pulse
R G = 39 Ω
T VJ = 125°C
0.001
0
0.0001
MUBW3512A8
0
200
400
600
800 1000 1200 1400 V
0.00001 0.0001 0.001
0.01
0.1
1
s 10
V CE
Fig. 17 Reverse biased safe operating area
t
Fig. 18 Typ. transient thermal impedance
RBSOA
20070912a
? 2007 IXYS All rights reserved
7-8
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